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8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
W--CDMA TYPICAL CHARACTERISTICS
— 2110--2170 MHz
G
ps
, POWER GAIN (dB)
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
-- 1 8
-- 1 0
-- 1 2
-- 1 6
2220
2060
IRL
Gps
ACPR
-- 5 1
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 13. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance
@Pout
=1WattAvg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
16
-- 5 5
18
17
16
15
-- 4 5
-- 4 7
-- 4 9
?
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
-- 1 4
14
?D
VDD=28Vdc,Pout
=1W(Avg.),IDQ
= 130 mA
2--Carrier W--CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
14.4
14.2
14
-- 5 3
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
Figure 14. 2--Carrier W--CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
-- 5 5
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
49
-- 2 0
-- 3 0
35
28
-- 3 5
14
12010
-- 4 0
IM3
Gps
?
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
42
-- 4 5
?D
ACPR
0.1
-- 2 5
21
TC
=25_C
VDD=28Vdc,IDQ
= 130 mA
f1 = 2165 MHz, f2 = 2175 MHz
2--Carrier W--CDMA, 10 MHz Carrier
Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
7
-- 5 0
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